تولید نسل جدید حافظه‌های V-NAND، خبر از محصولاتی با حافظه‌ی ذخیره‌سازی بسیار سریع‌تر در آینده نزدیک می‌دهد.
سامسونگ به تازگی خبر از آغاز تولید انبوه نسل پنجم حافظه‌های V-NAND داد. اگر با این حافظه‌ها آشنایی ندارید، بد نیست بدانید که در حال حاضر رکورد سریع‌ترین انتقال داده در این زمینه، به نسل پنجم V-NAND تعلق دارد. چیپ این حافظه‌ها اکنون و به لطف استفاده از Toggle DDR4.0، توانایی انتقال ۱.۴ گیگابیت داده را در هر ثانیه دارد که بدین ترتیب عملکرد آن‌ها را ۴۰ درصد از نسل قبلی خود سریع‌تر می‌کند.
با وجود افزایش قابل توجه نرخ انتقال اطلاعات، سامسونگ موفق به حفظ توان مصرفی به میزان مورد نیاز در چیپ‌های ۶۴ لایه‌ی V-NAND نسل پیشین شده است. این عمل به‌واسطه‌ی کاهش ولتاژ مصرفی از ۱.۸ به ۱.۲ ولت محقق شده است. سامسونگ در خصوص توان این حافظه‌ها همچنین اذعان کرد که سرعت نوشتن داده‌ها در آن‌ها نیز بهبود ۳۰ درصدی را نسبت به نسل گذشته تجربه کرده است.
کای هیون کیونگ نایب رئیس ارشد بخش حافظه‌های فلش و فناوری در سامسونگ در رابطه با تولید عمده‌ی نسل پنجم حافظه‌های V-NAND گفت:
نسل پنجم حافظه‌های V-NAND سامسونگ پیشرفته‌ترین و سریع‌ترین نمونه‌ی NAND دنیا خواهد بود که در حال حاضر میزان تقاضای بازار فناوری به این حافظه‌ها با سرعت زیادی در حال افزایش است. در کنار توسعه‌ی فناوری‌های پیش‌رو و تولید نسل جدید حافظه‌های فوق‌سریع، ما خود را آماده‌ی معرفی حافظه‌های نسل آینده‌ی V-NAND یک ترابیتی با سلول‌های چهار سطحی می‌کنیم تا نیاز بازار جهانی در آینده را با فناوری‌های نوین و راهکار‌های جدید در دنیای حافظه‌های NAND پوشش دهیم.
مقالات مرتبط:سامسونگ در همین راستا اعلام کرد که با سرعت زیادی توان خود در تولید این حافظه‌ها را افزایش خواهد داد. اما هنوز تاریخ دقیقی در خصوص ارائه‌ی نسل جدید حافظه‌های V-NAND به شرکت‌های تولید‌کننده اعلام نشده است.
